因(Yin)氦(Hai)气(Qi)的(De)分(Fen)子(Zi)非(Fei)常(Chang)小(Xiao)，(?)可(Ke)侦(Zhen)测(Ce)出(Chu)非(Fei)常(Chang)小(Xiao)之(Zhi)漏(Lou)点(Dian)，(?)如(Ru)果(Guo)说(Shuo)保(Bao)压(Ya)测(Ce)试(Shi)是(Shi)测(Ce)大(Da)漏(Lou)，(?)氦(Hai)测(Ce)漏(Lou)则(Ze)是(Shi)测(Ce)小(Xiao)漏(Lou)，(?)在(Zai)庄(Zhuang)达(Da)人(Ren)所(Suo)著(Zhu)的(De)VLSI制(Zhi)造(Zao)技(Ji)术(Shu)一(Yi)书(Shu)中(Zhong)提(Ti)到(Dao)（(?)气(Qi)体(Ti)管(Guan)路(Lu)的(De)漏(Lou)率(Lu)在(Zai)每(Mei)秒(Miao)10E-9CC才(Cai)可(Ke)以(Yi)送(Song)气(Qi)）(?)如(Ru)此(Ci)才(Cai)不(Bu)会(Hui)造(Zao)成(Cheng)危(Wei)险(Xian)。(?)